DRAM，全稱動態(tài)隨機存取內(nèi)存（Dynamic Random Access Memory），是一種半導(dǎo)體DRAM，全稱動態(tài)隨機存取內(nèi)存（Dynamic Random Access Memory），是一種半導(dǎo)體存儲器，它具備較高的讀寫性能，但保留數(shù)據(jù)的時間相對較短。而FLASH，也被稱為閃存，是一種非易失性存儲器，即使在斷電情況下也能保持?jǐn)?shù)據(jù)。

DRAM和FLASH在存儲原理和應(yīng)用領(lǐng)域上存在明顯差異。DRAM的存儲單元由電容組成，需要定期刷新以維持?jǐn)?shù)據(jù)，適用于需要快速讀寫的場景，如計算機內(nèi)存。相比之下，F(xiàn)LASH的存儲單元是場效應(yīng)晶體管，具有非易失性和高密度的特點，適用于長期存儲數(shù)據(jù)，如固態(tài)硬盤、閃存卡等。

從優(yōu)勢角度來看，DRAM的優(yōu)勢在于高速讀寫性能，適合作為系統(tǒng)運行時的臨時存儲介質(zhì)。而FLASH的優(yōu)勢在于非易失性、耐久性和低功耗特性，使其成為長期存儲數(shù)據(jù)的理想選擇。