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DRAM，全稱動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（Dynamic Random Access Memory），是一種半導(dǎo)體DRAM，全稱動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（Dynamic Random Access Memory），是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，它具備較高的讀寫性能，但保留數(shù)據(jù)的時(shí)間相對(duì)較短。而FLASH，也被稱為閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器，即使在斷電情況下也能保持?jǐn)?shù)據(jù)。

1、發(fā)展很快，落后兩代，技術(shù)受限，產(chǎn)品低端    總的來說，中國的芯片制造技術(shù)在快速發(fā)展，同時(shí)存在工藝落后、產(chǎn)能不足、人才緊缺等問題。    中國集成電路行業(yè)共分芯片封裝、設(shè)計(jì)、制造三部分，總體呈現(xiàn)高速增長狀態(tài)。2004年至2017年，年均增長率接近20%。2010至2017年間，年均復(fù)合增長率達(dá)20.82%，同期全球……

1、發(fā)展很快，落后兩代，技術(shù)受限，產(chǎn)品低端    總的來說，中國的芯片制造技術(shù)在快速發(fā)展，同時(shí)存在工藝落后、產(chǎn)能不足、人才緊缺等問題。    中國集成電路行業(yè)共分芯片封裝、設(shè)計(jì)、制造三部分，總體呈現(xiàn)高速增長狀態(tài)。2004年至2017年，年均增長率接近20%。2010至2017年間，年均復(fù)合增長率達(dá)20.82%，同期全球……

1、發(fā)展很快，落后兩代，技術(shù)受限，產(chǎn)品低端    總的來說，中國的芯片制造技術(shù)在快速發(fā)展，同時(shí)存在工藝落后、產(chǎn)能不足、人才緊缺等問題。    中國集成電路行業(yè)共分芯片封裝、設(shè)計(jì)、制造三部分，總體呈現(xiàn)高速增長狀態(tài)。2004年至2017年，年均增長率接近20%。2010至2017年間，年均復(fù)合增長率達(dá)20.82%，同期全球……

存儲(chǔ)芯片對(duì)智能穿戴設(shè)備起著至關(guān)重要的作用，特別是在數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)、讀寫以及調(diào)度等方面。隨著科技的進(jìn)步和人工智能的發(fā)展，AI/VR/AR等創(chuàng)新技術(shù)日漸普及并走向成熟化，消費(fèi)者對(duì)生活品質(zhì)的要求逐步提高，從而使得智能穿戴領(lǐng)域面臨著諸多挑戰(zhàn)。

1、發(fā)展很快，落后兩代，技術(shù)受限，產(chǎn)品低端    總的來說，中國的芯片制造技術(shù)在快速發(fā)展，同時(shí)存在工藝落后、產(chǎn)能不足、人才緊缺等問題。    中國集成電路行業(yè)共分芯片封裝、設(shè)計(jì)、制造三部分，總體呈現(xiàn)高速增長狀態(tài)。2004年至2017年，年均增長率接近20%。2010至2017年間，年均復(fù)合增長率達(dá)20.82%，同期全球……