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深圳市東德電子貿(mào)易有限公司-產(chǎn)品中心
產(chǎn)品中心

提供高性價(jià)比存儲(chǔ)芯片以及存儲(chǔ)解決方案

DDR3
DDR3
速度快 性能高 功耗低


適合眾多計(jì)算環(huán)境，進(jìn)行了包括老化和高低溫壓力測(cè)試在內(nèi)的40多項(xiàng)生產(chǎn)測(cè)試，保證產(chǎn)品品質(zhì)可靠 ，  采用25nm工藝，符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。

速度快，性能高，帶寬是 DDR2 的兩倍。

功耗低、能效高的DRAM 解決方案，與 DDR2 相比功耗降低達(dá) 30%。



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  • Density   Part Number  Voltage Organization Speed Package
    64x16(1Gb) C4B1G1646IY-BCKO 1.35V-1.5V x16 1600 Mbps 96FBGA
    64x16(1Gb) C4B1G1646IY-BCMA 1.35V-1.5V x16 1866 Mbps 96FBGA
    256x8(2Gb) C4B2G0846IY-BCKO 1.35V-1.5V x8 1600 Mbps 78FBGA
    128x16(2Gb) C4B2G1646FY-BCKO 1.35V-1.5V x16 1600 Mbps 96FBGA
    128x16(2Gb) C4B2G1646FY-BCMA 1.35V-1.5V x16 1866 Mbps 96FBGA
    512x8(4Gb) C4B4G0846EY-BCMA 1.35V-1.5V x8 1866 Mbps 78FBGA
    256x16(4Gb) C4B4G1646DY-BCKO 1.35V-1.5V x16 1600 Mbps 96FBGA
    256x16(4Gb) C4B4G1646EY-BCMA 1.35V-1.5V x16 1866 Mbps 96FBGA


應(yīng)用領(lǐng)域

其他產(chǎn)品